瞬态抑制二极管的主要特性参数
较大箝位电压VC:TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
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半导体二极管的选用
通常小功率锗二极管的正向电阻值为300~500Ω,硅管为1kΩ或更大些。锗管反向电阻为几十千欧,硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。
点接触二极管的工作频率高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时,既要考虑正向电压,也要考虑反向饱和电流和反向电压。选用检波二极管时,要求工作频率高,正向电阻小,以保证较高的工作效率,特性曲线要好,避免引起过大的失真。
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